在LEDdriverIC電源電路中，人們一般會在操縱引腳的GD端串聯(lián)1顆電阻，其功能具體包含：
1.操縱MOS管的開關(guān)速度，數(shù)據(jù)過大，打開時間過慢，數(shù)據(jù)過小，會造成較高的諧振。
2.吸收MOS管寄生電容和布線造成寄生電感的振動；
對于情況1，能夠由下列公式算出電阻阻值的大?。?0RC當(dāng)中R是串聯(lián)電阻阻值，C為Cgs(可由datasheet中的Ciss和Crss計算算出)，Ton為開關(guān)導(dǎo)通的時長，這一時長能夠由占空比與開關(guān)頻率計算算出，文中以1個實際案例解說該問題，因為設(shè)計中替換MOS管，未替換相應(yīng)的串聯(lián)電阻，察覺電感和VGS的波形下述圖示：
對于情況2，因為不確定性布線電感的數(shù)據(jù)，也許需用實際調(diào)試過程進行調(diào)整電阻阻值；
黃色的是VGS的電壓，藍色的是電感的電壓波形，從黃色波形能夠看得出VGS打開電壓在每一個開關(guān)電源的周期都產(chǎn)生了下拉，MOS管未順利打開，經(jīng)調(diào)查原因發(fā)現(xiàn)先前采用的MOS管Ciss值很小，計算算出的Cg很小，這種計算算出的R阻值相對性較大，而替換新的MOS管，Ciss值很大，這時相應(yīng)的R阻值需用相應(yīng)較小，后由公式推算，調(diào)整R的阻值，波形恢復(fù)正常。
MOS管的D,G,S管腳之間會有寄生電容，舉例子，著名的米勒電容，G和S的電容CGS，D和G的電容：CGD，反方向傳輸電容，熟知的米勒平臺跟其密切相關(guān)；D和S的電容CDS。
將前文的CGS,CDS和CGD對比datasheet中的圖表，察覺不能容易相應(yīng)上，其對應(yīng)關(guān)系下述：
1.Ciss輸入電容Cgs+Cgd
2.反方向傳輸電容Crss=Cgd
3.Coss輸出電容Cds+Cgd
匯總：MOS管控制電路的話，從電阻阻值考量的層面看：
1.一定要依據(jù)Cgs和Ton計算操縱電阻的阻值，否則很可能在開關(guān)周期內(nèi)不能打開MOS管，造成工作出現(xiàn)異常。
2.吸收LC振動頻率，自然我們在layout時需用留意VGS的布線要很短，降低L的數(shù)據(jù)；
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