頂點資訊2021年11月4日消息，晶湛半導(dǎo)體將投資2.8億元用于新建氮化鎵外延片生產(chǎn)基地。
據(jù)悉，該生產(chǎn)基地建成后的年產(chǎn)能將達到24萬片氮化鎵外延片，其中，6英寸和8英寸各12萬片，將主要供應(yīng)電力電子功率器和微波功率器的制造商。
根據(jù)披露的信息，該項目將于2021年11月開建，預(yù)計在2023年2月完成主體建筑施工。
晶湛半導(dǎo)體生產(chǎn)的硅上氮化鎵外延片
晶湛半導(dǎo)體是一家從事光電材料和氮化鎵電子材料研發(fā)生產(chǎn)的企業(yè)，成立于2012年，目前已完成A+輪融資，150mm GaN-on-Si外延片能夠達到1萬片/月。此次新廠房的選址在蘇州工業(yè)園，廠房和辦公樓均為晶湛半導(dǎo)體自建。
截止到目前，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)為全球150多家半導(dǎo)體企業(yè)和研究院供應(yīng)半導(dǎo)體原材料。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
