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       常常有人將功率器件和功率半導(dǎo)體混為一談，其實(shí)功率半導(dǎo)體包括兩部分：功率器件和功率IC，其中功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的簡(jiǎn)稱，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與驅(qū)動(dòng)/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測(cè)等外圍電路集成而來。

        所有的功率半導(dǎo)體器件都具有處理高電壓、大電流的能力，主要用于有大功率處理需求的電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，比如：變頻、變壓、變流、功率管理，電壓處理范圍從幾十V到幾千V，電流能力最高可達(dá)幾千A。

        早期的功率半導(dǎo)體是以分立器件的形式出現(xiàn)的，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)，因此當(dāng)年的功率半導(dǎo)體又被稱為電力電子器件。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來。20世紀(jì)80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，此時(shí)二極管和晶閘管技術(shù)越來越成熟，附加值逐漸變低，國(guó)際大廠產(chǎn)能開始向以功率MOSFET、IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件迅速轉(zhuǎn)移，功率半導(dǎo)體正式進(jìn)入電子應(yīng)用時(shí)代。

        截至目前，MOSFET和IGBT都還是最主要、價(jià)值含量最高、技術(shù)壁壘較高的功率器件。但近年來，不斷有機(jī)構(gòu)預(yù)估以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料將站上未來功率半導(dǎo)體主流舞臺(tái)。

        目前Si材料在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)95%以上半導(dǎo)體器件和99%集成電路的體量，仍占主流。然而，隨著5G時(shí)代的到來，工業(yè)4.0和汽車電動(dòng)化的繼續(xù)推進(jìn)，對(duì)功率器件在開關(guān)頻率、散熱、抗壓性能等方面都提出了新的挑戰(zhàn)和要求，傳統(tǒng)Si功率器件瓶頸凸顯。

        德州儀器高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部氮化鎵功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom告訴與非網(wǎng)，“與現(xiàn)有Si器件，比如MOSFET或IGBT相比，GaN和SiC由于不同的物理特性，是具備更好開關(guān)性能的新型半導(dǎo)體材料。具體而言，GaN具有低得多的輸入和輸出電容以及顯著降低功耗的零反向恢復(fù)電荷。市場(chǎng)上要求更高效率和功率密度的應(yīng)用正以極快的速度向GaN產(chǎn)品過渡。