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頂點(diǎn)光電子商城2022年7月28日消息： 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司成立于2000年01月28日，注冊(cè)地位于東莞市黃江鎮(zhèn)田美工業(yè)園北區(qū)，法定代表人為容詩(shī)宗，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET。
推出的產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有RDS(on) 特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更持久。此外，安世半導(dǎo)體還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現(xiàn)已供貨。
新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。
RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。
具體而言，在VGS =4.5V時(shí)，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場(chǎng)上類(lèi)似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護(hù)（人體模型 – HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。
除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。
安世半導(dǎo)體原名叫恩智浦半導(dǎo)體，是中國(guó)有限公司研發(fā)并且引入海外的優(yōu)良導(dǎo)體。安世半導(dǎo)體是二零一七年內(nèi)我國(guó)該行產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的一筆海外并購(gòu)項(xiàng)目，在公司發(fā)表完預(yù)案以后，聞態(tài)科技有限公司通過(guò)模擬股份和交易成功購(gòu)買(mǎi)了原本屬于荷蘭的導(dǎo)體公司安世，自此正式成為中國(guó)項(xiàng)目研究與擁有權(quán)，這場(chǎng)跨國(guó)收購(gòu)收到了當(dāng)時(shí)來(lái)自各方的密切關(guān)注，根據(jù)資料顯示，自從官方公布將產(chǎn)品售予中方有關(guān)部門(mén)以后，安世集團(tuán)就基本上覆蓋承包了全球規(guī)模內(nèi)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與制造的全部。
聞泰科技財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，收購(gòu)安世半導(dǎo)體后，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)。2021年公司安世半導(dǎo)體業(yè)務(wù)來(lái)源于汽車(chē)領(lǐng)域的銷(xiāo)售收入占比為44%，其中安世的車(chē)規(guī)級(jí)Mos管產(chǎn)品在汽車(chē)行業(yè)排名全球第二。安世的汽車(chē)客戶包括博世、比亞迪、大陸、德?tīng)柛?、電裝等全球頂尖的Tier1客戶，同時(shí)也在加速拓展國(guó)內(nèi)汽車(chē)客戶銷(xiāo)售份額，包括新能源廠商，努力抓住新能源汽車(chē)市場(chǎng)機(jī)遇及汽車(chē)電子化趨勢(shì)。
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