頂點(diǎn)光電子商城2022年8月22消息：近日，三星電子已于8月19日在韓國京畿道器興園區(qū)舉行了下一代半導(dǎo)體研發(fā)（R&D）園區(qū)動(dòng)工儀式。
該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米，將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計(jì)劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元（約合人民幣1030億元）。
據(jù)悉，這是三星電子自2014年以來時(shí)隔8年在國內(nèi)新建研發(fā)中心。三星電子相關(guān)人士表示，若建成具備尖端設(shè)備的研發(fā)中心，有望縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時(shí)間，提升半導(dǎo)體質(zhì)量。
目前，三星和臺(tái)積電是全球僅有的兩家合同芯片制造商能夠以先進(jìn)的制造技術(shù)制造半導(dǎo)體，而后者在市場上處于領(lǐng)先地位。
當(dāng)前，存儲(chǔ)芯片制造商正在競相增加其產(chǎn)品層數(shù)。SK海力士最近完成了238層產(chǎn)品的開發(fā)，美光科技宣布開發(fā)出全球首款232層NAND閃存產(chǎn)品。
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