頂點光電子商城2022年10月9日消息：近日，星電子在美國加州硅谷舉辦2022年三星科技日，會上三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb）。
三星的第8代V-NAND（512Gb）位密度提高了42%，在迄今為止的512Gb三級單元（TLC）內(nèi)存產(chǎn)品中達到了業(yè)界最高的位密度。
三星表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。到 2027 年，HPC、汽車和 5G 芯片的比例將超過 50%，計劃瞄準高性能和低功耗的半導體市場，并將先進制程節(jié)點的產(chǎn)能擴大三倍以上。三星將增強其基于 GAA 的 3nm 工藝，用于 HPC 和移動設備的芯片；目前三星為汽車級芯片提供 28nm eNVM 解決方案，計劃 2024 年將推進到 14nm eNVM 解決方案，未來還會有 8nm eNVM 解決方案；射頻芯片方面，繼 14nm 工藝后，會有 8nm 工藝，5nm 工藝也在開發(fā)當中。
NAND方面，目前，三星電子正在量產(chǎn)第7代Vertical NAND（V-NAND）閃存，其第九代V-NAND正在開發(fā)中，還計劃從2024年開始量產(chǎn)第9代NAND閃存。
三星稱，到2030年，公司設想堆疊超過1000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術。
另外DRAM方面，三星電子正在量產(chǎn)第4代10nm級DRAM，而目前1b DRAM正在開發(fā)中，并計劃從2023年開始量產(chǎn)第5代10nm級（1b）DRAM。
為了克服DRAM擴展到10nm范圍以外的挑戰(zhàn)，三星表示，一直在開發(fā)圖案、材料和架構(gòu)方面的顛覆性解決方案，高K材料等技術正在順利進行中。
活動最后，三星重申其提升客戶價值和追求以客戶為導向的發(fā)展理念的首要目標，進一步擴大其生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴關系。為了刺激更廣泛的開放式創(chuàng)新，三星將開設三星內(nèi)存研究中心 (SMRC)，客戶和合作伙伴可以在該中心在各種服務器環(huán)境中測試和驗證三星內(nèi)存和軟件解決方案。從今年第四季度在韓國開設第一家 SMRC 開始，三星計劃隨后與紅帽和谷歌云等生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴合作，在美國和世界各地推出更多的中心。
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