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         頂點光電子商城2022年11月7日消息：三星電子宣布已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三級單元（TLC）第8代V-NAND。

         第8代V-NAND的1TB三層式存儲單元（Triple Level Cell）在一個Cell中存放3bit數(shù)據(jù)，是單位面積存儲密度達到業(yè)界最高水平的大容量閃存。

       第八代V-NAND采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，不僅可以減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過3D縮放技術(shù)，三星可顯著提升每片晶圓的存儲密度?；谧钚翹AND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

        近來半導(dǎo)體行業(yè)掀起閃存堆棧層數(shù)競爭。今年美光科技、SK海力士分別宣布研制出232層、238層堆棧閃存。三星電子此前生產(chǎn)的第7代產(chǎn)品是176層堆棧。三星此次雖未披露第8代的堆棧層數(shù)，不過此前已多次強調(diào)擁有制造200層以上閃存的技術(shù)力量。

       在未來，三星的 V-NAND 閃存堆棧層數(shù)還會進一步提升，路線圖中的目標(biāo)是超過 500 層，這被視為 3D 閃存的極限，不過三星還在想法突破，最終能制造 1000 層堆棧的 3D 閃存。