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        頂點(diǎn)光電子商城2022年12月8日消息： SK海力士宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)樣品。

         DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。

         MCR DIMM是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá)8Gbps，較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。該MCR DIMM產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為DDR5的運(yùn)行速度取決于單個(gè)DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè)DRAM芯片的速度。

        SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，而在MCR DIMM模塊中，兩個(gè)內(nèi)存列同時(shí)運(yùn)行可向CPU傳輸128個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個(gè)DRAM的兩倍。該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。

         DDR5內(nèi)存的真正普及需要兩到三年時(shí)間，而據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測(cè)，在整個(gè)DRAM市場中，2022年DDR5內(nèi)存市場占有率將達(dá)到10%，而在2024年，這一份額將進(jìn)一步提升至43%。

         未來，在高性能計(jì)算對(duì)于內(nèi)存帶寬提升需求的驅(qū)動(dòng)下， MCR DIMM的市場將會(huì)逐步打開，SK海力士將量產(chǎn)該產(chǎn)品。