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        頂點(diǎn)光電子商城12月13日消息：近日，至訊創(chuàng)新完全自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片研制成功，預(yù)計(jì)將于明年年初全面投放市場(chǎng)。

         這是國(guó)內(nèi)首款全自研、運(yùn)用先進(jìn)工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業(yè)界主流串行接口SPI和WSON封裝。這是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)的跨越式突破，技術(shù)水平已趕超國(guó)際一流。

         該芯片可滿足消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品對(duì)可靠性的需求，還可達(dá)到工規(guī)和車規(guī)等高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留的要求。至訊創(chuàng)新數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了芯片面積縮小 40%，I / O 速度提升 25%，擦寫周期提升 70%。

        在如今大數(shù)據(jù)時(shí)代，NAND閃存無(wú)疑是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的奠基者。不管是手機(jī)、電腦、家電還是汽車、安防等行業(yè)，都少不了NAND閃存的身影，其重要性可見一斑。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。

         此次19nm芯片的成功研制是至訊創(chuàng)新破繭成蝶的第一步，未來(lái)至訊創(chuàng)新將持續(xù)加大研發(fā)投入，與更多合作伙伴展開更深度協(xié)作，保持每年兩到三個(gè)先進(jìn)工藝項(xiàng)目的開展，使更具有創(chuàng)新力、競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品陸續(xù)登陸市場(chǎng)。

        至訊創(chuàng)新科技（無(wú)錫）有限公司成立于2021年10月，總部位于江蘇無(wú)錫，在上海、深圳、香港等地均已設(shè)立分支機(jī)構(gòu)，完備的營(yíng)銷及服務(wù)網(wǎng)絡(luò)為客戶提供快捷、優(yōu)質(zhì)的支持。旨在領(lǐng)導(dǎo)存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新，成為全球存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)軍者。專注于中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)，團(tuán)隊(duì)可全面覆蓋設(shè)計(jì)、測(cè)試、工藝提升等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，且具備完全自主可控的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。在質(zhì)量管理方面，公司有嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)與要求，已獲得ISO 9001等國(guó)際質(zhì)量體系認(rèn)證，同時(shí)積極推進(jìn)產(chǎn)業(yè)整合，與全球多家領(lǐng)先晶圓廠、封裝廠達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。