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SK海力士官宣其開(kāi)發(fā)出了LPDDR5T移動(dòng)DRAM

         頂點(diǎn)光電子商城1月28日消息:近日,SK海力士官宣其開(kāi)發(fā)出了LPDDR5T移動(dòng)DRAM,并已經(jīng)向目標(biāo)用戶提供相關(guān)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。


       SK海力士于去年11月推出移動(dòng)DRAM LPDDR5X后,時(shí)隔2個(gè)月開(kāi)發(fā)出性能提升的LPDDR5T。


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         LPDDR5T的傳輸速率可達(dá)每秒9.6Gbps,相比較于2020推出的LPDDR5X速度提升13%。為強(qiáng)調(diào)其超高速度,SK海力士在“LPDDR5”規(guī)格名稱后添加了“Turbo(渦輪增壓)”字樣。SK海力士官方表示,LPDDR5T符合JEDEC設(shè)定的1.01-1.12V工作電壓范疇,這是一種速度極快并且可滿足低功耗需求的產(chǎn)品,預(yù)計(jì)將為智能手機(jī)等產(chǎn)品帶來(lái)進(jìn)一步的收益。


          LPDDR5T將為客戶提供16GB的多芯片封裝產(chǎn)品,并且將在2023年下半年將10nm技術(shù)的第四代1αnm工藝投入到LPDDR5T的生產(chǎn)中。


         另外,SK海力士計(jì)劃從今年下半年起量產(chǎn)基10納米級(jí)第4代(1a)精細(xì)工藝產(chǎn)品,還將把“HKMG(High-K Metal Gate)”工藝采用于其新產(chǎn)品。HKMG工藝是在DRAM晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高K柵電介質(zhì)防止泄漏電流,改善靜電容量的新一代工藝,其特點(diǎn)是既能提高內(nèi)存速度度,又能降低功耗。


Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國(guó)品牌英文縮寫(xiě)"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商,也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。