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        近日，安森美擬投資20億美元提高SiC芯片產(chǎn)量。

        安森美半導(dǎo)體首席執(zhí)行長Hassane El-Khoury表示，公司碳化硅芯片生產(chǎn)目前集中在韓國富川的一家工廠。該公司計(jì)劃尋找“端到端”生，下一步是希望打造端到端（end-to-end）的生產(chǎn)流程，也就是采取一條龍式生產(chǎn)，將碳化硅粉末制成芯片，而不受單一生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的限制。

       由硅組成的半導(dǎo)體材料改變了我們的生活，相信在未來很長的一段時(shí)間里，硅半導(dǎo)體依然會(huì)是主流。在硅材料幾十年的發(fā)展過程中，也遇到了一些問題，很多人嘗試用不同的材料去替代它。半導(dǎo)體材料也發(fā)展了三代。碳化硅就是第三代半導(dǎo)體材料。由于SiC具有寬禁帶寬度，從而導(dǎo)致其有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等材料特性。受益于SiC的材料特性，SiC功率器件具有耐高壓、體積小、功耗低、耐高溫等優(yōu)勢(shì)。

         安森美希望，2027 年前能讓自家SiC 市占率提高到 40%。