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           頂點(diǎn)光電子商城7月5日消息：近日，碳化硅襯底廠商天岳先進(jìn)表示，公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關(guān)鍵技術(shù)，已與國(guó)際半導(dǎo)體知名企業(yè)加強(qiáng)合作，包括英飛凌、博世集團(tuán)等全球知名企業(yè)。

           碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和漂移速度高等優(yōu)良的物理化學(xué)特性，是制備碳化硅電力電子器件、氮化鎵微波功率器件和大功率高亮度LED的最佳襯底材料，屬于高技術(shù)戰(zhàn)略材料。

           其中基于碳化硅襯底的氮化鎵微波器件功率密度較砷化鎵器件提高5倍以上，散熱性能好，可以極大提高微波系統(tǒng)的功率，減小體積，已經(jīng)在雷達(dá)等軍事電子裝備中得到批量應(yīng)用，而且也是未來(lái)5G通信的核心微波器件。碳化硅電力電子器件導(dǎo)通電阻比硅器件低1000倍左右，可大幅降低電力損耗，開(kāi)關(guān)速度比硅器件高100倍左右，功率密度大幅度提升，在新能源汽車、光伏逆變、電力機(jī)車、高壓速變電等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。

            SiC半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展進(jìn)入快車道，特別是在高壓高功率領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)更加凸顯，新的應(yīng)用場(chǎng)景不斷涌現(xiàn)。在市場(chǎng)需求爆發(fā)的背景下，SiC的供需缺口也較大。

            未來(lái)，公司持續(xù)加大研發(fā)力度，在晶體生長(zhǎng)和缺陷控制等核心技術(shù)領(lǐng)域展開(kāi)密集的試驗(yàn)，不斷突破技術(shù)瓶頸，提高產(chǎn)品良率。