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           頂點(diǎn)光電子商城7月17日消息：近日，美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院的研究人員就研發(fā)了一種新的FE-FET設(shè)計(jì)，在計(jì)算和存儲(chǔ)方面都展示了破紀(jì)錄的性能。

           據(jù)悉，這種全新的晶體管在鐵電材料氮化鋁鈧（AlScN）上覆蓋了一種叫做二硫化鉬（MoS2）的二維半導(dǎo)體，首次證明了這兩種材料可以有效地結(jié)合在一起，制造出對(duì)工業(yè)制造有吸引力的晶體管。該設(shè)備以其前所未有的薄而聞名，允許每個(gè)單獨(dú)的設(shè)備以最小的表面積運(yùn)行。此外，這些微型設(shè)備可以以可擴(kuò)展到工業(yè)平臺(tái)的大型陣列制造。

          半導(dǎo)體（MoS2）僅0.7納米，能夠攜帶的電流量也打破了紀(jì)錄。新設(shè)計(jì)使用了20納米的AlScN和0.7納米的MoS2，F(xiàn)E-FET能可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)快速訪問(wèn)。

          未來(lái)，F(xiàn)E-FET非常有前途，這些多功能設(shè)備幾乎可以在你能想到的任何技術(shù)中占有一席之地，尤其是那些支持人工智能并消費(fèi)、生成或處理大量數(shù)據(jù)的技術(shù)——從傳感到通信等等。