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SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品

           頂點(diǎn)光電子商城8月10日消息:近日,SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2023閃存峰會(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321層NAND閃存。


            NAD閃存芯片是一種非易失性存儲器設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器、存儲卡(如SD卡、MicroSD卡)以及移動設(shè)備(如智能手機(jī)、平板電腦)等。它以其高速、高密度、耐用性和低功耗等特點(diǎn),在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域占據(jù)重要地位。


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           NAND閃存芯片根據(jù)每個(gè)單元(Cell)可以存儲的信息量(比特,bit)可分為SLC(Single level Cell)、MLC (Muti Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等規(guī)格。單元信息存儲容量越大,意味著單位面積可以儲存的數(shù)據(jù)越多。


           321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高,在相同芯片上實(shí)現(xiàn)更大存儲容量,進(jìn)而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。


          NAND閃存芯片在各種數(shù)據(jù)存儲和傳輸應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用,通過不同的類型和配置,可以滿足不同設(shè)備和應(yīng)用的需求。SK海力士將以通過開發(fā)第五代4D NAND 321層閃存產(chǎn)品,鞏固品牌在NAND技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。