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          頂點光電子商城2023年9月1日消息：近日，三星宣布推出全球首款基于12nm工藝技術(shù)的32Gb DDR5 DRAM解決方案，可支持高達128GB的內(nèi)存模塊。

          12nm級32Gb DRAM，能夠?qū)崿F(xiàn)高達1TB的DRAM模塊的解決方案，能夠滿足人工智能時代對大容量DRAM不斷增長的需求。

          DRAM（Dynamic Random Access Memory）模塊是一種計算機內(nèi)存模塊，用于存儲數(shù)據(jù)和指令。DRAM模塊使用動態(tài)隨機存取存儲器技術(shù)，可以隨機讀寫數(shù)據(jù)。

         DRAM模塊包括多個DRAM芯片，每個芯片包含若干個存儲單元，每個存儲單元可以存儲一個比特（0或1）。這些DRAM芯片通過總線連接到計算機的主板上，并且與處理器和其他設(shè)備進行數(shù)據(jù)交換。

         DRAM模塊的主要特點是容量大、成本低、速度較慢。由于DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，需要定期刷新電容，從而導(dǎo)致一定的延遲。因此，DRAM模塊的訪問速度相對較慢，但容量較大，適合用于存儲大量數(shù)據(jù)。

        DRAM模塊通常以插槽的形式安裝在計算機主板上。常見的DRAM模塊類型包括DIMM（Dual In-Line Memory Module）和SODIMM（Small Outline Dual In-Line Memory Module）。DIMM模塊適用于臺式機和服務(wù)器，SODIMM模塊適用于筆記本電腦和小型計算機。

          總的來說，DRAM模塊是計算機存儲器的重要組成部分，提供了大容量的數(shù)據(jù)存儲和讀寫功能。它廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和其他計算設(shè)備中。

           以12nm級32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ)，三星計劃繼續(xù)擴大高容量DRAM產(chǎn)品陣容，以滿足計算和IT行業(yè)當(dāng)前和未來的需求。三星將通過向數(shù)據(jù)中心以及人工智能和下一代計算等應(yīng)用的客戶提供12nm級32Gb DRAM，重申其在下一代DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。