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          中科漢韻聚焦于第 3 代半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售, 同時(shí)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)與之相配的 SiC 二極管（JBS），芯片生產(chǎn)在自己工廠完成，2021年5月SiC功率器件項(xiàng)目正式通線。該公司產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人等新基建領(lǐng)域。

          近日，中科漢韻已成功交付超500片車(chē)規(guī)級(jí) SiC MOSFET 晶圓。該產(chǎn)品包括1200V/17mohm、750V/13mohm兩種型號(hào)產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)系統(tǒng)。

         車(chē)規(guī)級(jí)（Automotive Grade）的SiC（碳化硅）MOSFET晶圓是一種專(zhuān)為汽車(chē)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)和制造的碳化硅金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的晶圓。這些晶圓通常滿(mǎn)足嚴(yán)格的汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定，以確保在惡劣的車(chē)輛環(huán)境中穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。以下是關(guān)于車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓的一些關(guān)鍵信息：

特點(diǎn)和應(yīng)用：

         1. 高溫穩(wěn)定性： 車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓能夠在高溫環(huán)境下工作，適用于汽車(chē)引擎室等高溫區(qū)域的應(yīng)用。

         2. 高功率密度： SiC MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，因此可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）的高效能源轉(zhuǎn)換。

          3. 高頻開(kāi)關(guān)： SiC MOSFET晶圓具有快速的開(kāi)關(guān)速度，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源電子設(shè)備，如電池充電器和電動(dòng)汽車(chē)的DCDC變換器。

         4. 低損耗： 由于其特殊的電學(xué)性能，SiC MOSFET具有較低的開(kāi)關(guān)損耗，從而提高了能源效率。

          5. 高電壓操作： SiC MOSFET允許高電壓操作，適用于電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制等需要高電壓的應(yīng)用。

           6. 耐高壓和抗電磁干擾： 車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓通常具有耐高壓和抗電磁干擾的特性，以確保電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

應(yīng)用領(lǐng)域：電動(dòng)汽車(chē)（EV）和混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）： 用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)，以提高電動(dòng)車(chē)輛的效率和性能。電池充電器： 用于快速充電設(shè)備，以提供高效的電池充電。電源電子設(shè)備： 用于高效的開(kāi)關(guān)電源、DCDC變換器和逆變器，以滿(mǎn)足汽車(chē)電子設(shè)備的電源需求。電機(jī)控制： 用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以提供高效的電機(jī)控制和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。照明系統(tǒng)： 用于汽車(chē)前照燈和照明系統(tǒng)，以提供高亮度和能源效率。

           需要注意的是，車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓必須符合汽車(chē)行業(yè)的特殊要求和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，以確保其在汽車(chē)環(huán)境中的可靠性和安全性。在使用這些晶圓的應(yīng)用中，制造商通常需要遵循汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)格質(zhì)量控制和測(cè)試流程。