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         頂點(diǎn)光電子商城2023年10月19日消息：近日，英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車10月18日發(fā)布聲明稱，三方已簽署一項(xiàng)多年期SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。

         根據(jù)協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代起亞供應(yīng)SiC和Si功率模塊與芯片，現(xiàn)代起亞則會出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲備。

          SiC（碳化硅）功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有高溫、高電壓和高頻率等優(yōu)異的特性。相比傳統(tǒng)的硅功率器件，SiC功率器件具有更低的開關(guān)損耗、更高的開關(guān)速度和更好的熱穩(wěn)定性。

         SiC功率器件主要有MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）和Schottky二極管兩種類型。MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于高頻率和高效率的應(yīng)用；而Schottky二極管則具有非常低的正向壓降和快速的開關(guān)特性，適用于高速開關(guān)和反向恢復(fù)時(shí)間要求嚴(yán)格的應(yīng)用。

           SiC功率器件在電力電子、電動車、太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器和航空航天等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。它們能夠提高系統(tǒng)的能效、減小體積和重量，并具有更好的可靠性。

           SiC功率器件相對Si基器件效率更高、尺寸更小，在新能源汽車、光伏、儲能等領(lǐng)域快速滲透，有助于“雙碳”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，也是高速成長的藍(lán)海市場。