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格芯獲3500萬美元資金補(bǔ)貼,加速制造下一代氮化鎵芯片

        頂點(diǎn)光電子商城2023年10月20日消息:近日,格芯(GlobalFoundries)宣布已獲得美國提供的3500萬美元聯(lián)邦資金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵(GaN)芯片。


         氮化鎵芯片是新一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍,并且在尺寸和重量減半的情況下可將功率和充電速度提高3倍。


         氮化鎵芯片的制造工藝十分復(fù)雜,需要先在半導(dǎo)體襯底上制造出氮化鎵材料,然后進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和刻蝕、薄膜制備、離子注入等核心工藝,最后進(jìn)行封裝測試。



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          氮化鎵芯片主要應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換和分配電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器、音頻放大器、射頻放大器、激光器、傳感器等電子設(shè)備中。氮化鎵芯片的優(yōu)勢有:


         高頻率:氮化鎵材料耐熱性好,因具有高電子遷移率而成為高頻的“贏家”,其電子遷移率高于碳化硅,可提高晶體管的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度,適用于高頻率、大功率電路中。氮化鎵芯片的制造工藝十分復(fù)雜,需要先在半導(dǎo)體襯底上制造出氮化鎵材料,然后進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和刻蝕、薄膜制備、離子注入等核心工藝,最后進(jìn)行封裝測試。


          高可靠性:氮化鎵芯片具有高可靠性,可提高電源轉(zhuǎn)換效率、減少熱量的產(chǎn)生、縮小充電器的體積,使用戶在日常出行時(shí)更容易攜帶。


          低噪音:氮化鎵芯片具有低噪音的特點(diǎn),可提高音頻放大器的性能。