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          頂點(diǎn)光電子商城2023年10月31日消息：近日，在一款消費(fèi)電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)了世界上最先進(jìn)的3D NAND存儲(chǔ)芯片，它來自中國(guó)的3D NAND制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

        長(zhǎng)江存儲(chǔ)制造的232層QLC 3D NAND芯片是一款具有領(lǐng)先技術(shù)的存儲(chǔ)芯片。以下是該芯片的一些重要特點(diǎn)：

        先進(jìn)的制造工藝：該芯片采用了先進(jìn)的3D NAND制造工藝，使得存儲(chǔ)單元能夠在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。這使得芯片能夠提供更高的存儲(chǔ)容量和更快的讀寫速度。

         高密度存儲(chǔ)：該芯片的存儲(chǔ)單元密度達(dá)到了19.8 Gb/mm2，是商用NAND產(chǎn)品中最高的。高密度存儲(chǔ)意味著能夠在更小的芯片上存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，提高了存儲(chǔ)效率。

           QLC技術(shù)：QLC代表四層單元，它是一種先進(jìn)的閃存技術(shù)，能夠?qū)⒏嗟臄?shù)據(jù)存儲(chǔ)在更小的單元內(nèi)。與傳統(tǒng)的SLC（單層單元）和MLC（多層單元）相比，QLC能夠提供更高的存儲(chǔ)密度和更快的讀寫速度。

            用于消費(fèi)電子產(chǎn)品：該芯片已經(jīng)被用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中，例如一款未知型號(hào)的智能手機(jī)。這表明長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND芯片已經(jīng)達(dá)到了可以用于實(shí)際產(chǎn)品的商業(yè)化水平。

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 232L QLC 芯片圖像

            領(lǐng)先的地位：長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)方面已經(jīng)達(dá)到了世界領(lǐng)先地位，其232層QLC 3D NAND芯片在技術(shù)指標(biāo)上已經(jīng)超越了其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。這使得中國(guó)在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域的影響力不斷擴(kuò)大。

          總之，長(zhǎng)江存儲(chǔ)制造的232層QLC 3D NAND芯片是一款具有領(lǐng)先技術(shù)的存儲(chǔ)芯片，它已經(jīng)在實(shí)際產(chǎn)品中得到了應(yīng)用，并且為中國(guó)在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。