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          頂點光電子商城2024年2月27日消息：今日，三星宣布成功開發(fā)出業(yè)界首款36GB 12層堆疊HBM3E存儲芯片。

           這款芯片采用了先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層產(chǎn)品具有與8層HBM芯片相同的高度，以滿足當(dāng)前HBM封裝要求。

          與8層堆疊的HBM3產(chǎn)品相比，這款新品在容量和帶寬方面都提高了50%以上，帶寬高達(dá)1280GB/s。同時，由于其容量的增加和帶寬的提高，這款芯片能夠顯著提高人工智能（AI）訓(xùn)練和推理速度。具體來說，與HBM3 8H相比，HBM3E 12H的人工智能訓(xùn)練平均速度可提高34%，用于推理服務(wù)支持的用戶數(shù)量最高可增加11.5倍以上。

           此外，三星還通過降低NCF材料的厚度，實現(xiàn)了業(yè)界最小的7微米的芯片間距，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的垂直整合度。這些技術(shù)進(jìn)步使得HBM3E 12H成為未來使用AI平臺的各種公司的最佳解決方案，并有望降低數(shù)據(jù)中心的總成本（TCO）。

          目前，三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并預(yù)計在今年上半年正式量產(chǎn)。這表明三星在持續(xù)推動存儲技術(shù)的發(fā)展，以滿足市場對于更高容量、更高帶寬存儲芯片的需求。