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          頂點光電子商城2024年3月4日消息：近日，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。

          據(jù)報道，三星最近對其3D堆棧（3DS）內(nèi)存進行了大規(guī)模的MR MUF工藝測試。與現(xiàn)有的熱壓非導(dǎo)電膜（TC NCF）相比，MUF工藝在吞吐量方面有所提高，但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。因此，經(jīng)過測試和研究，三星得出結(jié)論，MUF技術(shù)不適用于高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品，但非常適合3DS RDIMM。3DS RDIMM主要采用硅通孔（TSV）技術(shù)制造，并主要用于服務(wù)器產(chǎn)品。

          MUF是一種環(huán)氧樹脂模塑化合物，有助于緊密凝固和結(jié)合各種垂直堆疊的半導(dǎo)體。三星計劃與子公司三星SDI合作開發(fā)適用于DRAM的MUF化合物，并已經(jīng)從日本訂購了相關(guān)設(shè)備，以推進到下一階段，實現(xiàn)更先進的封裝工藝，并提高生產(chǎn)效率。

          然而，目前三星仍將繼續(xù)在HBM生產(chǎn)中使用TC NCF技術(shù)。同時，競爭對手美光也打算繼續(xù)使用TC NCF技術(shù)。盡管MUF材料被認為在避免晶圓翹曲方面更具優(yōu)勢，但尚不清楚三星是否會最終選擇引入MUF技術(shù)。