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          頂點(diǎn)光電子商城2024年3月22日消息：近日，德州儀器計(jì)劃大規(guī)模將氮化鎵（GaN）芯片的生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓，這是其提高生產(chǎn)效率、降低成本并增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的戰(zhàn)略舉措。

          首先，將生產(chǎn)工藝從6英寸晶圓升級(jí)到8英寸晶圓，最直接的好處是提高了每個(gè)晶圓上的芯片數(shù)量。由于8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，因此可以生產(chǎn)更多的芯片，從而顯著提高生產(chǎn)效率。

           其次，這種轉(zhuǎn)變也有助于德州儀器降低生產(chǎn)成本。隨著晶圓尺寸的增大，單位器件的成本通常會(huì)呈下降趨勢(shì)。有業(yè)內(nèi)人士表示，從6英寸生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)向8英寸工藝，有望將生產(chǎn)成本降低10%以上。這對(duì)于德州儀器來(lái)說(shuō)，意味著能夠以更低的成本生產(chǎn)更多的芯片，從而增強(qiáng)其在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。

           此外，德州儀器還計(jì)劃將電源管理芯片的生產(chǎn)從8英寸晶圓廠轉(zhuǎn)變?yōu)?2英寸晶圓。12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍，因此，這一轉(zhuǎn)變將進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率并降低成本。

           德州儀器已經(jīng)在達(dá)拉斯和日本會(huì)津的工廠開始準(zhǔn)備興建8英寸晶圓廠，以支持其GaN芯片的生產(chǎn)。其中，達(dá)拉斯工廠有望在2025年之前完成過(guò)渡，而日本會(huì)津工廠則正在將現(xiàn)有的硅基8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體產(chǎn)線。這一舉措顯示了德州儀器在推進(jìn)GaN芯片生產(chǎn)方面的決心和實(shí)力。

            總的來(lái)說(shuō)，德州儀器大規(guī)模將GaN芯片生產(chǎn)由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸是一項(xiàng)具有戰(zhàn)略意義的決策。它不僅能夠提高生產(chǎn)效率、降低成本，還有助于增強(qiáng)德州儀器在氮化鎵芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。隨著這一轉(zhuǎn)變的推進(jìn)，我們可以期待德州儀器在未來(lái)能夠在氮化鎵芯片領(lǐng)域取得更大的成功。