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          頂點(diǎn)光電子商城2024年4月30日消息：近日，南京大學(xué)網(wǎng)站發(fā)布《成果推介：大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)》。該研究成果顯示，南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)，標(biāo)志著我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。

          大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備采用激光產(chǎn)生、聚焦、碳化硅吸收激光和瞬時(shí)蒸發(fā)或氣化的原理，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的精準(zhǔn)切割。相較于傳統(tǒng)的多線切割技術(shù)，激光切片技術(shù)具有加工周期短、產(chǎn)率高的優(yōu)勢(shì)。以單個(gè)20毫米SiC晶錠為例，采用線鋸可生產(chǎn)30片350um的晶圓，而使用激光切片技術(shù)可生產(chǎn)50多片晶圓，顯著提高了產(chǎn)率。

          南京大學(xué)研發(fā)的大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了4-6英寸半絕緣碳化硅晶圓的切割減薄、6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠的切片，并且正在進(jìn)行8英寸晶錠切片驗(yàn)證。在切割時(shí)間方面，半絕緣/導(dǎo)電型6英寸碳化硅晶錠單片切割時(shí)間≤15min，單臺(tái)年產(chǎn)晶片>30000片。此外，該設(shè)備在切割過(guò)程中的損耗也較低，半絕緣碳化硅晶錠單片損耗≤30um，導(dǎo)電型單片損耗≤60um，產(chǎn)片率提升>50%。

          大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備是未來(lái)8英寸碳化硅晶錠切片的核心設(shè)備。目前，大尺寸碳化硅晶錠激光切片設(shè)備主要依賴(lài)進(jìn)口，價(jià)格昂貴且對(duì)中國(guó)禁運(yùn)。南京大學(xué)研發(fā)的這項(xiàng)技術(shù)將打破國(guó)外技術(shù)壟斷，滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)于大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備的需求，有助于推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

          總之，南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)是我國(guó)在半導(dǎo)體材料加工領(lǐng)域取得的重要突破，將為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力。