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頂點(diǎn)光電子商城2024年5月20日消息：近日，臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片，并將采用N12FFC+和N5制程技術(shù)。這一決策是為了滿足當(dāng)前人工智能（AI）市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)的需求。
HBM4，即第四代高帶寬內(nèi)存，相較于之前的HBM產(chǎn)品，有幾項(xiàng)主要的變化。其中，最重要的就是內(nèi)存堆棧鏈接接口標(biāo)準(zhǔn)，將從原本的1024比特進(jìn)一步轉(zhuǎn)向超寬的2048比特。這種變化使得HBM4內(nèi)存堆棧鏈接需要更先進(jìn)的封裝方法來容納超寬的內(nèi)存。
在制程技術(shù)方面，臺(tái)積電計(jì)劃使用N12FFC+和N5兩種制程技術(shù)來生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片。N12FFC+是一種成本效益較高的選擇，它可以使存儲(chǔ)供應(yīng)商構(gòu)建12層堆棧（48GB）和16層堆棧（64GB），每堆棧帶寬超過2TB/s。此外，N12FFC+技術(shù)生產(chǎn)的HBM4基礎(chǔ)芯片還有助于使用臺(tái)積電的CoWoS-L或CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)構(gòu)建系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP），該技術(shù)可提供高達(dá)8倍標(biāo)線尺寸的中介層，空間足夠容納多達(dá)12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧。
另一方面，N5制程技術(shù)則提供了更高的性能。N5制程建構(gòu)的基礎(chǔ)芯片將封裝更多的邏輯，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。這種先進(jìn)的制程技術(shù)可以達(dá)到非常小的互連間距，約6~9微米，這將使得HBM4能夠在邏輯芯片頂部進(jìn)行3D堆棧，從而提高內(nèi)存性能。
總的來說，臺(tái)積電采用N12FFC+和N5制程技術(shù)生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片，是為了在保持成本效益的同時(shí)，提高存儲(chǔ)性能，滿足AI和高性能計(jì)算（HPC）芯片對(duì)更大內(nèi)存帶寬的需求。
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