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           頂點(diǎn)光電子商城2024年6月3日消息：近日，ADM發(fā)布最新的AI芯片：Instinct MI325X，預(yù)計(jì)將于2024年第四季度上市。

           AMD發(fā)布的MI325X AI芯片相較于英偉達(dá)H200在性能上有多項(xiàng)顯著的提升，以下是詳細(xì)的對比和相關(guān)信息：

           性能提升：AMD表示，MI325X相較于英偉達(dá)H200在運(yùn)算速度上快30%。這一提升主要得益于MI325X在設(shè)計(jì)和架構(gòu)上的優(yōu)化。

            技術(shù)規(guī)格：MI325X采用了CDNA3架構(gòu)，這一架構(gòu)為AMD的AI芯片提供了強(qiáng)大的性能基礎(chǔ)。該芯片搭載了高達(dá)288GB的HBM3E存儲，這一容量相比市場上的其他AI芯片具有顯著優(yōu)勢。內(nèi)存帶寬方面，MI325X提供了每秒6TB的帶寬，這一性能使得它在處理大量數(shù)據(jù)和復(fù)雜計(jì)算時(shí)具有更高的效率。

           與英偉達(dá)H200的對比：英偉達(dá)H200是一款基于Hopper架構(gòu)的AI GPU芯片，采用了臺積電4nm制程工藝，內(nèi)存容量為141GB，帶寬性能為4.8TB/s。

             相比之下，MI325X在內(nèi)存容量和帶寬性能上都有顯著的提升，這為其在處理更復(fù)雜和更大規(guī)模的數(shù)據(jù)時(shí)提供了更強(qiáng)的性能支持。

            合作與制程技術(shù)：AMD表示，MI325X的制造將與臺積電合作采用3nm制程技術(shù)。這一先進(jìn)的制程技術(shù)將進(jìn)一步提升MI325X的性能和能效比。

            產(chǎn)品規(guī)劃：AMD還公布了未來的產(chǎn)品規(guī)劃，包括2025年將推出的MI350系列芯片和2026年將推出的MI400系列芯片。這些產(chǎn)品將繼續(xù)保持AMD在AI芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

           總之，AMD發(fā)布的MI325X AI芯片在性能上相較于英偉達(dá)H200有著顯著的提升，同時(shí)在技術(shù)規(guī)格和制程技術(shù)上也具有優(yōu)勢。這一芯片的發(fā)布將進(jìn)一步推動AMD在AI芯片領(lǐng)域的發(fā)展。