頂點光電子商城2024年8月29日消息：近日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。
采用第六代10納米級（1c）工藝，展現(xiàn)了SK海力士在超微細化存儲工藝技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。通過優(yōu)化EUV（極紫外光刻）適用工藝并開發(fā)新材料，確保了成本競爭力和生產(chǎn)率的提升（與前一代1b工藝相比，生產(chǎn)率提高了30%以上）。運行速度達到8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代產(chǎn)品相比速度提高了11%。能效也提高了9%以上，有助于降低數(shù)據(jù)中心等應用場景的能耗。
在應用前景方面，主要面向高性能數(shù)據(jù)中心市場，隨著AI時代的到來和數(shù)據(jù)量的激增，該產(chǎn)品將滿足市場對更高速度、更高能效存儲解決方案的需求。
SK海力士計劃年內(nèi)完成該產(chǎn)品的量產(chǎn)準備，并從明年開始供應市場，這將進一步鞏固其在半導體存儲器市場的領(lǐng)先地位。
此次成功開發(fā)不僅展示了SK海力士在DRAM制造工藝上的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個行業(yè)樹立了新的技術(shù)標桿。通過提高生產(chǎn)率和能效，SK海力士有望為客戶提供更具競爭力的存儲解決方案，促進數(shù)據(jù)中心等市場的可持續(xù)發(fā)展。
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM，是半導體存儲技術(shù)領(lǐng)域的一次重要里程碑。該產(chǎn)品在制造工藝、性能提升和應用前景等方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，將有力推動數(shù)據(jù)中心等市場的發(fā)展，并為SK海力士在半導體存儲器市場的持續(xù)領(lǐng)先奠定堅實基礎(chǔ)。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
