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           頂點光電子商城2024年11月13日消息：近日，東芝推出了具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET。

           這款新產品被命名為“X5M007E120”，是一款用于車載牽引逆變器的裸片1200V碳化硅（SiC）MOSFET。其創(chuàng)新的結構設計使得該產品能夠實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性，從而滿足車載牽引逆變器對高性能和高可靠性的需求。

          X5M007E120典型值RDS(ON)在VGS=+18V、Ta=25°C時為7.2mΩ，在VGS=+18V、Ta=175°C時為12.1mΩ。這種低導通電阻特性有助于節(jié)省用于電機控制的逆變器的電能，例如牽引逆變器。

            通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構，提高了產品的可靠性。

嵌入的SBD采用格紋形態(tài)排列，相比常用的條形形態(tài)，能夠更高效地抑制器件體二極管的雙極通電。具有深勢壘結構設計，可在短路狀態(tài)下抑制MOSFET的過大電流和SBD的漏電流，從而保持針對反向傳導工作的極高可靠性。

           該產品為未封裝芯片產品，用戶可根據(jù)其特定的設計需求定制裸片，實現(xiàn)面向其應用的解決方案。通過AEC-Q100認證，確保產品符合車載應用的質量標準。漏極—源極電壓額定值VDSS為1200V，漏極電流（DC）額定值ID為（229）A（暫定值）。

           該產品主要適用于車載牽引逆變器，可將電池供電的DC電源轉換為AC電源，并可控制電動汽車（EV）或混合動力電動車（HEV）的電機。

           東芝預計將在2025年提供X5M007E120的工程樣品，并在2026年投入量產。同時，東芝將進一步探索器件特征的改進，以提供更高性能和更高可靠性的電源半導體產品。

            總之，東芝推出的這款1200V SiC MOSFET產品具有顯著的低導通電阻和高可靠性特性，將廣泛應用于車載牽引逆變器等領域，為電動汽車和混合動力電動車的電機控制提供高效、可靠的解決方案。