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         頂點(diǎn)光電子商城2024年11月21日消息：隨著人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）以及其他數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的快速發(fā)展，對(duì)內(nèi)存帶寬的需求日益增加。為了滿足這一不斷提升的需求，瑞薩電子率先率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。

         第二代DDR5 MRDIMM的傳輸速度高達(dá)12800MT/s，與初代產(chǎn)品（8800MT/s）相比，內(nèi)存帶寬提升了35%。

          瑞薩此次推出的芯片組解決方案包括三款核心組件：多路復(fù)用寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（MRCD）芯片RRG50120、多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）芯片RRG51020，以及電源管理集成電路（PMIC）芯片RRG53220。RRG50120的功耗較初代產(chǎn)品降低了45%，這對(duì)于延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命和降低運(yùn)營(yíng)成本具有重要意義。RRG53220為DDR5 MRDIMM量身定制，提供了出色的電氣過(guò)壓保護(hù)，并針對(duì)高電流及低電壓操作進(jìn)行了優(yōu)化，顯著提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與能效。

          除了上述三款核心組件外，瑞薩還提供了配套的溫度傳感器與SPD集線器，以進(jìn)一步完善其內(nèi)存接口芯片組解決方案。

         瑞薩電子的這一新產(chǎn)品引起了數(shù)據(jù)中心投資者和IT解決方案提供商的濃厚興趣。他們認(rèn)識(shí)到，提升內(nèi)存帶寬不僅是硬件的更新?lián)Q代，更是提升整體IT基礎(chǔ)設(shè)施能力的關(guān)鍵。

         隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，內(nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景也愈加廣泛。除了傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理，AI模型的訓(xùn)練、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析等高需求工作都需要高帶寬內(nèi)存的支持。因此，瑞薩電子的新一代DDR5 MRDIMM解決方案有望在未來(lái)市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。

          該解決方案主要面向服務(wù)器市場(chǎng)，特別是那些需要高性能計(jì)算和大數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)景。例如，AI模型的訓(xùn)練、高性能計(jì)算任務(wù)、數(shù)據(jù)中心的高效運(yùn)行等。

         目前，瑞薩電子已經(jīng)完成了RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC三款芯片的樣品制作。預(yù)計(jì)新產(chǎn)品將于2025年上半年正式投產(chǎn)。這將為數(shù)據(jù)中心及相關(guān)行業(yè)帶來(lái)技術(shù)升級(jí)與變革的新機(jī)遇。

         總之，瑞薩電子的第二代DDR5 MRDIMM高速內(nèi)存接口芯片組的發(fā)布，不僅是技術(shù)的突破，更為整個(gè)行業(yè)帶來(lái)了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著該產(chǎn)品的量產(chǎn)和市場(chǎng)推出，數(shù)據(jù)中心及相關(guān)行業(yè)將面臨技術(shù)升級(jí)與變革的新階段。