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       頂點(diǎn)光電子商城2024年11月25日消息：臺(tái)積電近期宣布N2P IP準(zhǔn)備就緒，客戶現(xiàn)可設(shè)計(jì)性能增強(qiáng)型2nm芯片。這一消息標(biāo)志著臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)方面取得了重要進(jìn)展，為芯片設(shè)計(jì)廠商提供了更多選擇和可能性。

       臺(tái)積電推出的N2P和N2X制程技術(shù)，是其在2納米級(jí)領(lǐng)域的重要布局。這兩種制程技術(shù)都采用了先進(jìn)的納米片全柵極（GAA）晶體管和超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容，從而實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升。

         臺(tái)積電宣布，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為N2P和N2X制程技術(shù)做好準(zhǔn)備。這意味著各種芯片設(shè)計(jì)廠商現(xiàn)在可以基于臺(tái)積電第二代2nm級(jí)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)芯片，充分利用GAA晶體管架構(gòu)和低電阻電容器的優(yōu)勢(shì)。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已為臺(tái)積電的N2P制造工藝做好準(zhǔn)備。

        與初代N2相比，N2P在相同功率和晶體管數(shù)量下，功耗降低5%10%或性能提高5%10%。而N2X則擁有比N2和N2P更高的FMAX電壓，為數(shù)據(jù)中心CPU、GPU和專用ASIC等設(shè)備提供了更好的性能保障。在IP級(jí)別上，N2P和N2X是兼容的。這意味著打算使用N2X的公司無(wú)需重新開(kāi)發(fā)為N2P設(shè)計(jì)的任何東西，從而降低了開(kāi)發(fā)成本和時(shí)間。

       臺(tái)積電表示，N2P工藝預(yù)計(jì)將于2026年下半年投入大規(guī)模生產(chǎn)。目前，這些工藝已經(jīng)通過(guò)N2P工藝開(kāi)發(fā)套件（PDK）版本0.9的認(rèn)證，被認(rèn)為足夠成熟。此外，臺(tái)積電還積極與第三方IP供應(yīng)商合作，提供包括標(biāo)準(zhǔn)單元、GPIO、SRAM編譯器、ROM編譯器、內(nèi)存接口、SerDes和UCIe產(chǎn)品等在內(nèi)的預(yù)硅設(shè)計(jì)套件，以滿足芯片設(shè)計(jì)廠商的需求。

        隨著臺(tái)積電N2P和N2X制程技術(shù)的推出和EDA工具及第三方IP模塊的準(zhǔn)備就緒，各種芯片設(shè)計(jì)廠商現(xiàn)在可以基于這些先進(jìn)的制程技術(shù)開(kāi)發(fā)出性能更強(qiáng)大、功耗更低的芯片產(chǎn)品。這將有助于推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。

          綜上所述，臺(tái)積電N2P IP準(zhǔn)備就緒標(biāo)志著其在先進(jìn)制程技術(shù)方面取得了重要突破。隨著這些技術(shù)的不斷成熟和量產(chǎn)計(jì)劃的推進(jìn)，我們有理由相信未來(lái)會(huì)有更多高性能、低功耗的芯片產(chǎn)品問(wèn)世。