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       頂點光電子商城2024年12月5日消息：日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E。

        SiJK140E的導通電阻表現(xiàn)優(yōu)異，與相同占位面積的競品器件相比，其導通電阻降低了32%，同時比采用TO-263-7L封裝的40V MOSFET的導通電阻低58%。在10V電壓下的典型導通電阻低至0.34mΩ，最大限度減少了傳導造成的功率損耗，從而提高了效率。

         并且，其熱性能也得到改善，其RthJC典型值為0.21°C/W，有助于降低器件在工作時的溫度，提高穩(wěn)定性。

          SiJK140E允許設計人員使用一個器件（而不用并聯(lián)兩個器件）實現(xiàn)相同的低導通電阻，從而提高了可靠性，并延長了平均故障間隔時間（MTBF）。

          該MOSFET采用無線鍵合（BWL）設計，最大限度減少了寄生電感，同時最大限度提高了電流能力。與采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案相比，SiJK140E可提供高達795A的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時提供強大的SOA功能。另外，SiJK140E采用PowerPAK 10x12封裝，占位面積為120mm2，與TO-263-7L相比，可節(jié)省27%的PCB空間，同時厚度減小50%。

          SiJK140E非常適合用于同步整流、熱插拔和OR-ing功能。其典型應用包括電機驅(qū)動控制、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統(tǒng)、機器人和3D打印機等。

           該MOSFET符合RoHS標準且無鹵素，經(jīng)過100%Rg和UIS測試，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。同時，為了避免產(chǎn)品出現(xiàn)共通問題，標準級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。

           SiJK140E現(xiàn)已實現(xiàn)量產(chǎn)，并提供樣品供客戶測試。其訂貨周期為36周，客戶可根據(jù)需求進行訂購。

           總之，Vishay推出的新款40V MOSFET——SiJK140E具有優(yōu)異的導通電阻、良好的熱性能、高可靠性、高電流能力以及節(jié)省空間等顯著優(yōu)勢。同時，其廣泛的應用范圍和可靠的產(chǎn)品特性也使其成為市場上備受關(guān)注的電子元件之一。