頂點光電子2024年12月9日消息：近日，據(jù)市場最新消息，三星電子已在其半導(dǎo)體研究所成功完成其突破性400層NAND技術(shù)的開發(fā)。三星于11月開始將這項先進技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤P1廠的量產(chǎn)線上。這一重要里程碑使三星處于NAND閃存技術(shù)的前沿，因為它準備與SK海力士等行業(yè)對手競爭，后者已宣布量產(chǎn)321層NAND。
相比傳統(tǒng)的平面（2D）NAND技術(shù)，3D NAND技術(shù)具有更高的存儲性能和更低的能耗，是當前存儲技術(shù)發(fā)展的重要方向。三星電子在400層NAND技術(shù)的研發(fā)過程中，引入了“三重堆疊”技術(shù)，將存儲單元堆疊成三層，使得存儲單元的堆疊更加緊密，進一步提升了存儲性能。
三星計劃采用三層單元（TLC）架構(gòu)和一種名為“垂直粘合NAND”（BV NAND）的新技術(shù)，這種技術(shù)將存儲單元和外圍電路分離到不同的晶圓上，然后以垂直結(jié)構(gòu)將它們粘合在一起。這種方法有助于三星實現(xiàn)更高的制造良率。
隨著全球大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對存儲技術(shù)的需求也在不斷增長。三星電子此次成功研發(fā)的400層NAND技術(shù)，將有助于提高數(shù)據(jù)存儲的密度和效率，滿足日益增長的存儲需求。理論上，未來三星固態(tài)硬盤的容量可達16TB，連續(xù)讀寫速度接近PCIe 5.0 x4接口的極限。
三星電子計劃于2025年下半年開始量產(chǎn)這種先進的NAND閃存，以滿足市場對高性能存儲解決方案的需求。同時，三星電子還計劃在2025年2月舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，提供有關(guān)其1Tb容量400層TLC NAND的詳細公告。
在平澤園區(qū)，三星電子計劃安裝新的第9代（286層）生產(chǎn)設(shè)施，該設(shè)施預(yù)計每月產(chǎn)能將達到3萬至4萬片晶圓。此外，三星電子的西安工廠也將繼續(xù)將128層（V6）NAND生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為236層（V8）產(chǎn)品工藝，以進一步提升生產(chǎn)效率。
近年來，NAND閃存市場的競爭愈演愈烈，主要原因是人工智能應(yīng)用的需求不斷增長，同時消費者對更大容量、更實惠的閃存存儲的需求也在不斷增長。三星目前占據(jù)37%的領(lǐng)先市場份額，但隨著美光、長江存儲、SK海力士和Kioxia等競爭對手加速開發(fā)更高密度的3D NAND，三星保持這一地位正面臨越來越大的挑戰(zhàn)。堆疊400層或更多層NAND并非易事，因為超過300層的堆疊已經(jīng)給早期原型產(chǎn)品的可靠性帶來了挑戰(zhàn)。此外，在量產(chǎn)前，三星電子還需要克服良率提升、成本控制等方面的挑戰(zhàn)。
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