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總投資超200億,長飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目首批設(shè)備搬入

          頂點(diǎn)光電子商城2024年12月18日消息:近日,長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目舉行首批設(shè)備搬入儀式,標(biāo)志著長飛先進(jìn)武漢基地即將邁入工藝驗(yàn)證新階段,全面投產(chǎn)正式進(jìn)入倒計(jì)時。本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié),包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等,較原定設(shè)備搬入時間大幅提前。


           長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正加快推進(jìn)建設(shè)并對設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試,預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測,到2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。


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           該項(xiàng)目是武漢新城誕生的第一個項(xiàng)目,致力于打造一個集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目的成功實(shí)施將有力推動國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提升我國在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的自主研發(fā)和生產(chǎn)能力。


           總之,長飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目作為總投資超過200億元的重大項(xiàng)目,在建設(shè)進(jìn)展上取得了顯著成果,首批設(shè)備的成功搬入標(biāo)志著項(xiàng)目即將邁入工藝驗(yàn)證新階段。未來,隨著項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)和量產(chǎn)計(jì)劃的實(shí)現(xiàn),將為我國在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的發(fā)展注入新的動力。