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前不久，臺(tái)積電公布了1.8nm的新進(jìn)程，并說預(yù)期將會(huì)在2026年出片。這一消息在當(dāng)時(shí)發(fā)出的時(shí)候引起行內(nèi)熱議，但大多數(shù)人都是采取觀望態(tài)度，因?yàn)橐阅壳暗募夹g(shù)暫時(shí)沒有辦法讓芯片的尺寸突破2nm。
而近日，ASML宣布的新的EUV設(shè)備即將把突破2nm變成可能。
根據(jù)ASML副總裁接受采訪所放出來的消息看，ASML將于2023年推出一款全新的EUV，孔徑（NA）將會(huì)達(dá)到0.55，在ASML看來，這個(gè)0.55NA的EUV設(shè)備將會(huì)讓世界芯片的制程突破2nm。
根據(jù)他們的看法，實(shí)際上3nm芯片的工藝是受到了晶體管密度所制約的，因?yàn)?nm與4nm所使用的孔徑?jīng)]有太大的不同，因此他們認(rèn)為臺(tái)積電即將推出的3nm芯片可能延期也是因?yàn)樵谛阅苌陷^于4nm沒有太大的提高，在尋求突破上或許遇到了一些棘手的問題。
以目前的技術(shù)，根據(jù)臺(tái)積電和三星制造3nm芯片的工藝上看，他們都是使用目前ASML最先進(jìn)的0.33NA再加上多重圖形技術(shù)，但是多重圖形技術(shù)不僅容易消耗大量EUV機(jī)器的能量，還會(huì)導(dǎo)致芯片成本上升，因此肯定不是一個(gè)長(zhǎng)久之計(jì)。
而0.55NA可以讓半導(dǎo)體公司在生產(chǎn)3nm甚至更小尺寸的芯片時(shí)，不需要使用多重圖形技術(shù)就可以進(jìn)行生產(chǎn)。
但按照ASML的意思來看，0.55NA與0.33NA需要同時(shí)進(jìn)行使用，因?yàn)閮膳_(tái)機(jī)器可以負(fù)責(zé)不同的步驟從而提高生產(chǎn)的速度，他們認(rèn)為0.33NA也會(huì)參與到2nm及以下的芯片制造當(dāng)中。
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