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        據(jù)國際權(quán)威調(diào)查機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，去年全球功率半導(dǎo)體器件的市場規(guī)模為175億美元，并預(yù)測到2026年，這一數(shù)字將上漲到260億美元，年復(fù)合增長率為6.9%。

        現(xiàn)階段半導(dǎo)體分立器件主導(dǎo)了功率器件市場，在未來幾年，這一情況將會(huì)發(fā)生改變：功率模塊的市場規(guī)模將急劇上升。據(jù)預(yù)測，到2026年分立器件的市場規(guī)模將突破160億美元。在工業(yè)電機(jī)、家用電器和電動(dòng)汽車的推動(dòng)下，功率模塊的市場規(guī)模將增至100億美元，與分立器件的差距將大大縮小。

        SiC、MOSFET和IGBT技術(shù)，是功率半導(dǎo)體中最重要的三個(gè)分支。SiC是基礎(chǔ)原材料，MOSFET則對低功率細(xì)分市場十分關(guān)鍵，IGBT模塊是工業(yè)應(yīng)用和電動(dòng)汽車的核心。電動(dòng)汽車則是未來發(fā)展的大方向，市場前景十分廣闊。

        從2020年到2026年，在硅基MOSFET組件的主導(dǎo)下，低功率模塊將以年復(fù)合增長率3.8%的速度增長。細(xì)分市場中的汽車輔助系統(tǒng)、小功率工業(yè)應(yīng)用和消費(fèi)電子將會(huì)是低功率模塊的主要需求領(lǐng)域。

        不過，在消費(fèi)電子快速充電器市場，氮化鎵材料將會(huì)搶占部分硅基MOSFET的份額。汽車輔助系統(tǒng)領(lǐng)域也存在不確定因素，因?yàn)樵谖磥淼钠囕o助駕駛系統(tǒng)中，會(huì)出現(xiàn)大量小型輔助系統(tǒng)。

        IGBT模塊的增長速度也將非常迅速，預(yù)計(jì)年復(fù)合增長率將達(dá)到7.8%，為三個(gè)分支之最。IGBT模塊的增長除了來自工業(yè)應(yīng)用和電動(dòng)汽車外，還有其他市場，如風(fēng)能產(chǎn)業(yè)等。

        SiC技術(shù)也是非常有前景的一塊市場。SiC分立器件和模塊已經(jīng)大量運(yùn)用在電動(dòng)汽車領(lǐng)域。到2026年，SiC分立器件和模塊的市場規(guī)模將達(dá)到26一美艷，這其中，電動(dòng)汽車的貢獻(xiàn)將功不可沒。