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         近日，存儲器大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同推出最新的218層3D NAND閃存。

         新閃存利用1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC），具有四個平面，并具有創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，可將比特密度提高50%以上。它的高速NAND I/O速度超過3.2Gb/s，比上一代提高了60%，加上20%的寫性能和讀延遲改進，將加速用戶的整體性能和可用性。

          值得一提的是，西數(shù)、鎧俠開發(fā)了新的 CBA 技術(shù)，也就是將 CMOS 直接鍵合在陣列之上 ( CMOS directly Bonded to Array ) ，每個 CMOS 晶圓、單元陣列晶圓都使用最適合的技術(shù)工藝獨立制造，再鍵合到一起，從而大大提升存儲密度、I/O 速度。

         鎧俠和西數(shù)表示，該產(chǎn)品采用先進的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，可以滿足廣泛市場領(lǐng)域呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)需求，包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等。

         最新的218層3D NAND閃存已經(jīng)開始樣品出庫。