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科友半導體宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術

           頂點光電子商城6月26日消息:近日,科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術,在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。


          SiC是指碳化硅,它是一種新型的半導體材料,在功率器件等領域有著廣泛的應用。8英寸SiC是指直徑為8英寸(200mm)的SiC晶圓,是生產SiC功率器件的主要材料之一。


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          國內的8英寸SiC晶圓生產線受到了不少關注,因為它可以提高國內碳化硅材料制造的自主性。2018年,國內首條8英寸SiC晶圓生產線和晶圓芯片制造線在中國建成投產,生產的 SiC晶圓直徑達到了8英寸,可以制造的功率器件范圍更廣,包括高電壓、大電流的功率器件和更高集成度的邏輯芯片。這是國內首個具有完整自主知識產權的 SiC半導體材料生產線。


          尺寸、厚度方面,科友半導體8英寸SiC實現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備,在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上,8英寸晶體直徑超過210mm,厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。


          缺陷密度方面,科友半導體6英寸晶體位錯缺陷密度<3000個cm-2,8英寸晶體微管密度<0.1個cm-2,位錯缺陷密度<5000個cm-2,晶體質量處于行業(yè)領先水平。


          生長速率方面,科友半導體基于高熱場穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性,突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術,長晶速率已達到170μm/h以上,長晶周期約為4-5天,單臺長晶爐設備每月運轉約6-7爐次。


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          產品良率方面,科友半導體基于6英寸晶體研發(fā)生產經驗,開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術,大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現性。


           科友半導體成立于2018年5月,是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業(yè),研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域,已形成自主知識產權,實現先進技術自主可控。