過去，科研人員在將LED芯片縮小成微米大小時都會遇到很多阻礙，一直以來這些問題都在干擾著LED的光發(fā)射的效率。
毋庸置疑，在電子產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，產(chǎn)品或元件在規(guī)格層面上的縮小一直以來都引發(fā)熱議。具體到顯示領(lǐng)域，現(xiàn)在LED技術(shù)的一個主要發(fā)展的大方向，就是如何能夠在保持效率的同時進一步縮小芯片的尺寸，這一成果成功可能會誕生一批尺寸更小但分辨率非常高的顯示器。
最近，阿卜杜拉國王科技大學(xué)中的科研人員就在學(xué)術(shù)期刊上，發(fā)表了一種全新的Micro-LED技術(shù)。在經(jīng)過系統(tǒng)的分析后，該科研團隊認(rèn)為，這種LED技術(shù)的性能非常的好，將來在顯示領(lǐng)域一定能夠大有成就。
需要注意的是這種LED芯片的面積只有17×17μm2，規(guī)格非常小，這種芯片側(cè)壁上的缺陷會受到提高漏電流的影響使得輸出效率變低，這一影響機理對紅色LED更為嚴(yán)重。由于這些尚未能夠解決的問題導(dǎo)致的阻礙，傳統(tǒng)功能性LED芯片的面積一直都被局限在400μm2以上，無法小于400μm2。
在具體、準(zhǔn)確的分析了目前提升LED芯片效能存在的問題之后，該科研團隊指出，他們研究人員首先使用實驗室?guī)啄昵奥氏炔捎玫慕饘儆袡C化合物氣相外延工藝，制作出氮化銦鎵紅色LED外延晶片，在這之后，科研人員再進一步的使用標(biāo)準(zhǔn)的光刻技術(shù)蝕刻出10×10陣列17×17μm的LED臺面。這樣一來，他們就可以解決側(cè)壁電流泄漏的情況，并通過這個方法從正面解決了該問題。
在最后，科研人員監(jiān)控了整個蝕刻工藝，并嘗試運用化學(xué)蝕刻去試著清除了一般情況下會導(dǎo)致光發(fā)射效率損失的側(cè)壁缺陷。科研人員通過一系列評估方案，結(jié)果顯示，這一工藝不僅很好的解決了LED側(cè)壁上的缺陷，還非常有效地提升該LED的發(fā)光效率，其光功率輸出密度得到顯著提高，從每平方毫米1毫瓦升至每平方毫米1.76毫瓦。
伴隨著側(cè)壁缺陷問題的解決，這種17×17μm2的芯片技術(shù)有著比傳統(tǒng)技術(shù)更高的發(fā)光效率，這不僅讓一直局限于400μm2的境地被打破，還讓顯示領(lǐng)域有了邁入新顯示器市場的資本。
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